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저작권보호정책

저작권 보호정책의 목적

본 정책의 목적은 ‘천마총발굴50년’ 홈페이지에서 제공하는 정보가 정보 출처를 밝히지 않고 무단 사용, 변조, 상업적인 용도 등으로 이용되는 사례를 방지하기 위함입니다.

저작권 보호 및 정책

‘천마총발굴50년’ 홈페이지에서 제공하는 모든 자료는 저작권법 등 관련 법규에 따라 보호받는 저작물로 무단으로 복제, 배포할 경우 저작권 침해에 해당하며(저작권법 제136조(벌칙)) 위 사항을 원칙적으로 금하고 있습니다. 이에 이용자는 허가되지 않은 자료를 무단으로 사용할 수 없으며 관련 법규와 공공저작물 이용 방법을 준수해야 합니다.

특히 ‘천마총발굴50년’ 홈페이지에서 개방 중인 자료 중 천마총발굴50년이 저작권 전부를 소유하지 아니한 자료(다른 저작권과 저작재산권을 공유한 자료, 저작물 이용허락만 받은 자료 등)가 함께 게시되어 있습니다. 위 경우에는 제3자의 권리가 포함되어 있는 자료들로 저작물 이용에 엄격한 제한을 두고 있습니다. 따라서 단순 열람 외에 무단 변경, 복제ㆍ배포, 개작 등의 이용은 금지되며 이를 위반할 경우 관련법에 의거 법적 처벌을 받을 수 있음을 알려드립니다.

저작권 이용 내역

홈페이지에 사용된 이미지 중 일부는 ’천마총발굴50년‘에서 '2022년' 작성하여 공공누리 제1유형으로 개방한 '천마총_목곽내부’(작성자: 천마총발굴50년 홈페이지 담당자)'를 이용하였으며, 해당 저작물은 '문화재청 국가문화유산포털’, http://www.heritage.go.kr‘에서 무료로 다운받으실 수 있습니다.

공공저작물의 4가지 유형은 문화체육관광부 공공누리 사이트 (https://www.kogl.or.kr/info/license.do) 에서 확인할 수 있습니다.

공공저작물 4가지 유형
  • 제1유형 : 출저표시
    1. - 출처표시
    2. - 상업적, 비상업적 이용가능
    3. - 변형 등 2차적 저작물 작성 가능
  • 제2유형 : 출처표시 + 상업적 이용금지
    1. - 출처표시
    2. - 비상업적 이용가능
    3. - 변형 등 2차적 저작물 작성 가능
  • 제3유형 : 출처표시 + 변경금지
    1. - 출처표시
    2. - 상업적, 비상업적 이용가능
    3. - 변형 등 2차적 저작물 작성 금지
  • 제4유형 : 출처표시 + 상업적 이용금지 + 변경금지
    1. - 출처표시
    2. - 비상업적 이용만 가능
    3. - 변형 등 2차적 저작물 작성 금지
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Microchip, AI 데이터센터용 솔리드 스테이트 변압기를 위한 ‘3.3 kV HV‑D3 mSiC® 파워 모듈’ 출시

페이지 정보

  • 등록일 : 26-05-28 09:21
  • 조회수 : 70회

첨부파일

본문

2026 5 27마이크로컨트롤러, 혼합 신호, 아날로그 반도체 플래시-IP 솔루션 분야의 세계적 리더인 마이크로칩테크놀로지(아시아 총괄 한국대표: 한병돈)AI 하이퍼스케일 데이터센터와 기타 고전압 전력 애플리케이션에서 솔리드 스테이트 변압기(SST) 도입을 더욱 간소화하고 가속하도록 설계된 신제품 3.3 kV HVD3 mSiC® 파워 모듈을 출시했다. 이번에 새롭게 선보인 모듈은 3.3 kV 실리콘 카바이드(SiC) mSiC® MOSFET과 쇼트키 다이오드를 업계 표준인 62 mm 패키지에 통합하여, 중전압 그리드(전력망)에서 서버 랙으로 직접 효율적인 전력 공급을 가능하게 한다.

 

AI 데이터센터의 규모가 지속적으로 확장됨에 따라, 토큰 생성 역량은 전력 가용성에 의해 제한되고 있으며, 전력 효율은 투자 수익률(ROI) 좌우하는 핵심 요소가 되고 있다. 대형 저주파 변압기를 기반으로 한 기존 아키텍처는 시스템 복잡성을 높이고 전력 손실을 증가시키며 유연성을 제한하는 반면에 SST는 전력 변환 단계를 줄여 시스템 효율을 근본적으로 개선한다. 특히 업계가 차세대 AI 시설에서 고전압 DC 랙 배전 방식으로 전환함에 따라, 중전압 그리드에서 서버 랙까지 더 적은 전력 변환 단계로 안정적인 DC 전력을 직접 공급하도록 설계된 SST의 가치가 더욱 커지고 있다.

 

마이크로칩의 HV-D3 mSiC 모듈은 이러한 요구사항을 충족하도록 설계되었으며 마이크로칩의 mSiC MOSFET 기술을 기반으로 온도 변화 전반에 걸쳐 우수한 온저항(Rds(on)) 안정성을 제공하며, 6 kV 절연을 지원하고 CTI 600 등급 소재와 확장된 연면거리를 적용한 패키징을 통해 고전압 동작 시 안전한 직렬 연결을 지원한다. 또한 실리콘 질화규소(Si₃N₄) 기판은 향상된 열전도율과 파워 사이클링 성능을 제공해, 개발자가 과도한 냉각 없이도 더 높은 전력 밀도를 구현할 수 있도록 돕는다.

 

마이크로칩의 고전력 솔루션 사업부 클레이턴 필리온(Clayton Pillion) 부사장은 “AI 데이터센터가 그리드에서 GPU까지 전력을 공급하는 과정에서 지속적으로 한계에 부딪히면서 SST의 필요성이 점점 더 커지고 있다, “마이크로칩의 3.3 kV HV-D3 mSiC 파워 모듈은 개발자들이 13.8 kV 또는 34.5 kV 그리드와 연계할 때, 기존의 저전압 SiC 대안 대비 직렬연결 디바이스 수를 약 절반으로 줄일 수 있도록 지원한다. 또한 이 디바이스는 개별 SiC 디바이스와 훨씬 더 큰 파워 모듈 사이를 연결하며 100~300 A 제품에 대한 산업 시장의 주요 공백을 해소한다고 말했다.

 

HV-D3 mSiC 파워 모듈은 역병렬 쇼트키 다이오드 포함 여부에 따라 하프 브리지 커먼 소스 구성으로 제공되며, 100~300 A 범위의 애플리케이션을 지원한다. 마이크로칩의 mSiC MOSFET 기술은 하드 스위칭 및 소프트 스위칭 토폴로지 모두에서 균형 잡힌 스위칭 손실을 구현해, SST 설계와 기타 고주파·고전압 시스템에 적합하다.

 

AI 데이터센터의 SST 최적화된 HV-D3 mSiC 파워 모듈은 중장비 차량용 메가와트 충전 인프라, 철도 및 대형 운송용 보조 전원 공급장치, 중전압 모터 드라이브, 산업 및 방위 전력 시스템 등 다양한 애플리케이션에도 활용될 수 있다. 이러한 분야에서는 높은 절연 성능, 견고한 열 특성, 그리고 효율적인 전력 변환이라는 동일한 이점을 활용할 수 있다.

 

마이크로칩은 20년 이상 SiC 디바이스 및 전력 솔루션의 개발, 설계, 제조 및 지원에 집중해 온 경험을 바탕으로 고객들이 SiC 기술을 보다 쉽고 빠르게 안심하고 도입할 수 있도록 지원한다. 마이크로칩의 mSiC 제품과 솔루션은 시스템 비용 절감, 출시 기간 단축, 리스크 완화를 지원하도록 설계됐다. 또한 마이크로칩은 SiC 다이오드, MOSFET, 게이트 드라이버를 포함한 폭넓고 유연한 포트폴리오를 제공한다. 자세한 정보는 마이크로칩 SiC 웹사이트에서 확인할 수 있다.

 

개발

3.3 kV 파워 모듈은 신속한 프로토타이핑을 위해 애플리케이션 노트, 설계 가이드, 디바이스 시뮬레이션 모델 지원한다. 또한 마이크로칩은 글로벌 기술 지원, 설계 서비스, 그리고 현장 애플리케이션 엔지니어링 지원을 제공한다.

 

가격 및 구입

3.3 kV mSiC 파워 모듈은 양산 수량으로 구매할 있다. 마이크로칩을 통해 직접 하거나 마이크로칩 영업 담당자 또는 세계 공인 유통업체 문의하면 된다.

 

참고자료

고해상도 이미지 다운로드 가능(활용 가능):

·        애플리케이션 이미지: www.flickr.com/photos/microchiptechnology/55264371024/sizes/l

 

 

마이크로칩테크놀로지에 대하여

마이크로칩테크놀로지는 새로운 기술과 지속 가능한 발전이 만나는 핵심 시장에서 발생하는 다양한 도전을 해결하고, 혁신적인 설계를 보다 쉽게 구현할 있도록 지원하는 토털 시스템 솔루션을 제공하는 선도 기업이다. 마이크로칩은 사용자 친화적인 개발 툴과 폭넓은 제품 포트폴리오를 바탕으로, 고객들이 제품의 개념 설계부터 최종적인 완성에 이르기까지 최적의 설계를 수행할 있도록 전반적인 지원을 제공한다. 본사는 미국 애리조나주 챈들러에 위치해 있으며, 광범위한 산업, 자동차, 소비재, 항공우주 방위산업, 통신, 컴퓨팅 다양한 시장 분야에 걸쳐 탁월한 기술 지원과 솔루션을 제공한다. 자세한 정보는 www.microchip.com에서 확인할 있다.

 

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참고: Microchip 이름과 로고, Microchip 로고 및 mSiC는 미국 및 기타 국가에서 Microchip Technology Incorporated의 등록 상표이다. 여기서 언급된 다른 모든 상표는 각각의 회사의 자산이다.

 

[마이크로칩테크놀로지 언론 문의]

호프만에이전시: MicrochipKR@hoffman.com

      김효은 차장 (02)752-2955 / akim@hoffman.com

      안현지 사원 (02)752-4528 / hahn@hoffman.com